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簡(jiǎn)要描述：基于C-MOSI的紅外輻射源，SMD封裝，硅ARC窗口：適用于NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型紅外輻射源。該發(fā)射器僅需250毫瓦輸入功率，也適合于移動(dòng)和手持設(shè)備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達(dá)到高達(dá)800°C的溫度，具有長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射功率和短的時(shí)間常數(shù)。對(duì)于高容量應(yīng)用，如樓宇空調(diào)、自動(dòng)化等，JSIR340因其出色的性價(jià)比而非常適合。
產(chǎn)品品牌：Micro-Hybrid廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2024-09-25訪 問 量：259詳細(xì)介紹
| 品牌 | Micro-Hybrid | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
描述
適用于NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型紅外輻射源。該發(fā)射器僅需250毫瓦輸入功率，也適合于移動(dòng)和手持設(shè)備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達(dá)到高達(dá)800°C的溫度，具有長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射功率和短的時(shí)間常數(shù)。對(duì)于高容量應(yīng)用，如樓宇空調(diào)、自動(dòng)化等，JSIR340因其出色的性價(jià)比而非常適合。
帶有反射器的封裝適合從2厘米的距離進(jìn)行測(cè)量。MEMS發(fā)射器芯片由多層熱板膜組成，包含一個(gè)高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片基于硅襯底，采用背刻蝕膜技術(shù)。所有薄膜工藝均采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。
應(yīng)用
l非色散紅外氣體檢測(cè)
l衰減全反射光譜法
l直接紅外光譜法
l光聲光譜法
目標(biāo)氣體
l二氧化碳（CO2）
l甲烷（CH4）
l丙烷（C3H8）
l乙醇（C2H5OH）
l其他紅外活性氣體
特點(diǎn)
l成本效益高的組件
l標(biāo)準(zhǔn)MEMS技術(shù)
l與CMOS兼容的制造工藝
l熱板溫度高達(dá)740 °C
l適當(dāng)?shù)妮椛漭敵?/span>
l由于熱質(zhì)量低，調(diào)制深度高
技術(shù)參數(shù)
技術(shù)參數(shù) | 數(shù)據(jù) | 單位 |
光譜輸出范圍 | 2-15 | μm |
有效面積 | 1.0x 1.0 | mm2 |
耐熱1 | 25± 5 | Ω |
溫度系數(shù)2 | typ.1 000 | ppm/K |
時(shí)間常數(shù)0-63% | typ.7 | ms |
標(biāo)稱功耗3 | 300 | mW |
工作電壓4 | typ.2.5 | V |
工作電流4 | typ.100 | mA |
推薦驅(qū)動(dòng)模式 | Power mode | |
活動(dòng)區(qū)域溫度1,5,6 | 610± 30 | °C |
窗口 | w/o | |
外殼 | TO46 | |
預(yù)計(jì)使用壽命7,8 | >5 000 h at 740 °C >100 000 h at 610 °C | |
絕對(duì)最大額定值 | ||
輸入功率3,5 | 400 | mW |
外殼溫度8 | 200 | °C |
活動(dòng)區(qū)域溫度 | 740 | °C |
1. 額定功率下的單位
2. 25°C - 700°C
3. 功率開啟狀態(tài)
4. 帶有25Ω熱電阻
5. 環(huán)境溫度為25°C時(shí)
6. 通過紅外相機(jī)（0.7-1.1μm）測(cè)量的熱點(diǎn)溫度降低10%后的溫度分布平均值
7. 連續(xù)模式下，平均排除障礙時(shí)間（MTTF）為63%（膜斷裂，基于阿倫尼烏斯定律的計(jì)算值）
8. 包括環(huán)境溫度
典型操作特性
電氣示意圖
電路
等效電路圖
機(jī)械制圖
底部
截面圖-TO46反射器開放式
產(chǎn)品概述
型號(hào) | 類型 | 填充氣體 | 低溫度 | 最高溫度 | 光圈 | 窗口 |
JSIR340-5-BL-R-D3.6-0-0 | TO46 with reflector | None | -20 °C | 180 °C | 2.55 mm | Open |
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