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MTS2SENS 熱電堆探測(cè)器：IR熱電堆 MTS2SENS200 二氧化碳的基礎(chǔ)是兩個(gè)芯片，每個(gè)芯片包含200個(gè)鉍銻/銻熱電偶。得益于它們以及氪氣的填充，該探測(cè)器具有非常高的探測(cè)度，高達(dá)6.27*10^8 cm√Hz/W，靈敏度高達(dá)171 V/W。信號(hào)質(zhì)量可與熱釋電探測(cè)器相媲美，因此在NDIR組件范圍內(nèi)提供了額外的選擇。

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器：這款四通道探測(cè)器基于四個(gè)芯片，每個(gè)芯片包含44個(gè)硅熱電偶。通過(guò)在TO39封裝中填充氪氣，IR熱電堆實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.61*10^8 cm√Hz/W的探測(cè)度和高達(dá)39 V/W的靈敏度，同時(shí)具有非常好的性價(jià)比。該探測(cè)器適用于車輛尾氣測(cè)量、過(guò)程分析或工業(yè)氣體測(cè)量等多種應(yīng)用，在-20至85°C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作，因此在NDIR組件產(chǎn)品組合中提供了額外的選擇。

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器：這款基于MEMS技術(shù)的高靈敏度單通道熱電堆探測(cè)器，配備了80個(gè)鉍銻合金/銻熱電偶。其較高的探測(cè)度高達(dá)12.2*10^8 cmHz^1/2/W，以及高達(dá)501 V/W的靈敏度，得益于兩個(gè)關(guān)鍵因素。該探測(cè)器具有針對(duì)光學(xué)系統(tǒng)優(yōu)化的薄膜——輻射敏感的熱電偶對(duì)齊于一個(gè)焦點(diǎn)。氪氣填充進(jìn)一步提高了熱電堆的探測(cè)度和靈敏度。

MTS1TEMP56 熱電堆探測(cè)器：基于MEMS的MTS1TEMP56檢測(cè)紅外輻射，用于非接觸式溫度測(cè)量。56個(gè)硅熱電堆吸收入射的輻射能量。集成的質(zhì)量吸收器確保將輻射能量有效地轉(zhuǎn)換為熱能。熱電偶將這些熱能轉(zhuǎn)換為電能，作為測(cè)量信號(hào)輸出。 對(duì)于醫(yī)療和生命科學(xué)應(yīng)用或建筑自動(dòng)化中每年需求量超過(guò)50000件的大批量應(yīng)用，單通道熱電堆是較好選擇。TO46封裝的小尺寸使這個(gè)組件特別適合移動(dòng)設(shè)備。

HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源：高性能紅外輻射源，采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)850°C的溫度，提供高且長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源在HermeSEAL®選項(xiàng)中是一種高性能紅外輻射源，特別適用于醫(yī)學(xué)、工業(yè)和航空航天領(lǐng)域中要求苛刻的氣體分析應(yīng)用。

JSIR 350-4 紅外輻射源 紅外光源：高性能紅外輻射源，采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)850°C的溫度，提供高且長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源非常適合用于醫(yī)學(xué)、工業(yè)以及其他高要求應(yīng)用領(lǐng)域的各種氣體分析應(yīng)用。

基于C-MOSI的紅外輻射源，TO46型：JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過(guò)程氣體。

基于C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝：JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法?；贑MOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過(guò)程氣體及相關(guān)氣體。帶有標(biāo)準(zhǔn)TO封裝和蓋子的包裝版本適合測(cè)量距離長(zhǎng)達(dá)2厘米。